募资15亿!华灿投资Mini/Micro LED、GaN功率器件等

作者:led长条灯 来源:未知 发布时间:2020-07-05 02:44

昨(2)日晚间,华灿光电接连发布布告,除了发布 2019年度申报、第一季度业绩预告以及8亿元增资公司以外,还公布拟非公开刊行股票募集资金不高出15亿元,投向Mini/Micro LED、GaN功率器件等项目。

通知显示,华灿光电拟非公开刊行股票数量不跨越327,648,428股(含327,648,428股),募集资金总额(含刊行费用)不跨越15亿元,投向Mini/Micro LED的研发与制造项目和GaN基电力电子器件的研发与制造项目,分辨投入12亿元和3亿元。

个中,Mini/Micro LED的研发与制造项目是华灿光电为继续扩大在LED芯片范畴的竞争优势、巩固LED显示屏芯片市场的领先地位而打算实施的投产项目。此项目以公司现有手艺为根基,实现Mini/Micro LED的开发与家当化制造,进而带动财产链上下流各企业协同成长,深入结构下一代显示手艺。

项目扶植内容为Mini/Micro LED的研发与制造。Mini/Micro LED研发的内容首要包罗数学建模拟真、器件构造设计、外延工艺开发、芯片工艺开发等;量产的内容首要包罗Mini/Micro LED厂房生产线扶植,进行LED外延片和芯片的生产发卖。项目首要产物包罗Mini/Micro LED外延片、Mini/Micro LED芯片等。

华灿光电暗示,此项目总投资额为139,267.22万元,个中拟投入募投资金120,000.00万元。项目估计将匡助公司实现年均利润总额25,282万元,项目整体内部收益率(税后)为17.64%。

图片起原:拍信网

GaN基电力电子器件的研发与制造项目产物为中低压系列硅基增加型p型栅GaN高电子迁徙率晶体管(HEMT),包罗100V、200V、600/650V三个电压品级的多种型号,首要面向智妙手机、汽车电子、数据中心等市场应用,具有高开关频率、高转换效率、高耐压强度的手艺特征。

项目过程器件仿真设计、工艺制程开发、测试失效阐发,创设GaN功率器件设计和工艺IP库。项目建成后,将建设GaN功率器件从设计开发、外延生长、芯片制造到晶圆测试的完整买卖链,将产物开发、制造与市场需求慎密连系,过程更快的产物迭代和不变的良品率,以具有相当市场竞争力的性价比,快速推进GaN功率器件的大规模财产化。

项目开发按照从低压到高压、从低能量密度到高能量密度的顺序分阶段有规划进行,开发的GaN功率器件包孕100V、200V、600/650V三个电压品级。本项目量产按照调试贯通、风险试产、规模量产的顺序分阶段有打算进行。量产以Si晶圆为衬底材料,采用0.25um工艺制程,制造中低压GaN功率器件,首要有WLCSP和QFN两种封装形式。项目建成后,实现年产1.33万片6英寸晶圆(折合4英寸3万片)的生产规模。

项目扶植期三年,设计总投资额31,641.58万元,此中拟投入募投资金30,000.00万元。本项目估计将匡助公司实现年均利润总额4,247万元。

华灿光电示意,项目的扶植能进一步完美公司化合物半导体计谋结构,合适公司专注于高端半导体器件、做大做强家产链的历久计谋结构。

本次刊行完成后,华灿光电资产总额、净资产规模均将有所增加,公司资产欠债率将响应下降,进一步优化资产欠债构造,提高公司抗风险的能力,为公司将来的成长奠基根蒂。(LEDinside Janice收拾)

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